当VDD 的电压降至负电压阈值 (VIT-) 以下时,复位输出信号断言。当VDD 升至VIT- 加滞后(VHYS)以上,且复位延时(tD)结束时,复位信号清零。复位时间延迟可通过在CT引脚和接地之间连接一个电容器对TLV840C/TLV840C-Q1和 TLV840M/TLV840M-Q1进行编程 。CT引脚可保持浮动,以获得最短的复位延迟时间。Texas Instruments TLV840N/TLV840N-Q1不提供可编程延迟,提供40µs、2ms、10ms、30ms、50ms、80ms、100ms、150ms、200ms的固定复位延迟时序选项。
其他功能还包括低上电复位电压(VPOR)、内置VDD 抗闪烁保护、内置磁滞和低漏极开路输出漏电流(Ilkg(OD))。TLV840/TLV840-Q1是工业、电池供电、低功耗应用的完美电压监测解决方案。TLV840-Q1器件通过了AEC-Q100汽车应用认证。
特性
- 工作电压范围:0.7 V至6 V
- 120nA(典型值)纳米电源电流
- 固定阈值电压 (VIT-):0.8V至5.4V
- 阈值电压步进:100 mV
- 高精度:±0.5%(典型值)
- 5%(典型)内置磁滞 (VHYS)
- 复位时间延迟 (tD)(可编程电容器 (TLV840C, TLV840M))
- 40µs(典型值),无电容器最小时间延迟
- 低电平有效手动复位 (MR) (TLV840M)
- 四个输出拓扑
- TLV840xxDL - 开漏、低电平有效 (RESET)
- TLV840xxPL - 推挽,低电平有效 (RESET)
- TLV840xxDH - 开漏、高电平有效 (RESET)
- TLV840xxPH - 推挽、高电平有效 (RESET)
- 宽温度范围:–40°C至+125°C
- SOT23-5 (DBV) 封装
应用
- 电机驱动器
- 工厂自动化和控制
- 家庭影院和娱乐
- 电子销售点
- 电网基础设施
- 数据中心和企业计算
- 多功能打印机
数据手册
功能框图
发布日期: 2020-10-27
| 更新日期: 2025-04-09

