Texas Instruments TMAG5233平面内霍尔效应开关

Texas Instruments TMAG5233平面内霍尔效应开关设计用于替代TMR、AMR和磁簧开关,在成本要求较高的应用中使用。TMAG5233具有全极磁响应,可对南北磁极作出反应。当通过传感器灵敏度轴的外加通量密度超过操作点阈值 (BOP) 时,设备输出低电压。输出保持低电平,直到通量密度降至释放点阈值 (BRP) 以下,然后设备输出高电压。

Texas Instruments TMAG5233采用内部占空比,可最大限度地降低功耗。其推挽式 (CMOS) 输出无需外部上拉电阻器,采用行业标准SOT-23封装。

特性

  • -40°C至85°C的电源电压范围为1.65V至5.5V
  • 平面内灵敏度轴
  • 全极磁极检测(±)
  • 输出类型为推挽式 (CMOS)
  • 低电平 (VOL) 的有源输出状态(当B>BOP时)
  • 磁性工作点 (BOP):±3mT
  • 磁性释放点 (BRP):±2.2mT
  • 占空比运行,可最大限度地降低ICC
    • 5Hz:0.55µA(预览)
    • 40Hz:2.7µA
  • 3引脚SOT-23(VCC 、GND、OUT)行业标准封装

应用

  • 门窗传感器
  • 电器门打开/关闭
  • 电表篡改检测
  • 电子智能锁
  • 烟雾探测器按钮
  • 食品处理器配件检测
  • 笔记本电脑

功能框图

框图 - Texas Instruments TMAG5233平面内霍尔效应开关

磁通密度方向

图表 - Texas Instruments TMAG5233平面内霍尔效应开关
发布日期: 2024-12-16 | 更新日期: 2024-12-23