Texas Instruments UCC23313/UCC23313-Q1隔离式栅极驱动器

Texas Instruments UCC23313/UCC23313-Q1隔离式栅极驱动器设计用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET,峰值输出拉灌电流分别为4.5A和5.3A,基本隔离等级为3.75kVRMS。UCC23313/UCC23313-Q1的电源电压可达33V,因此可以使用双极电源,能有效驱动IGBT和SiC功率FET。UCC23313/UCC23313-Q1可驱动低侧和高侧功率FET。

与基于标准光耦合器的栅极驱动器相比,UCC23313/UCC23313-Q1的关键特性实现了显著的性能和可靠性升级,同时在原理图和布局设计中保持引脚对引脚兼容。性能亮点包括高共模瞬态抗扰度 (CMTI)、低传播延迟和较小脉冲宽度失真。严格的工艺控制保证了较小的零件间偏移。其输入级是一个仿真二极管 (ediode),也就是说,与传统LED相比,其可靠性更持久,耐老化性能更出色。

UCC23313/UCC23313-Q1隔离式栅极驱动器非常适合用于各种类型的电机驱动、太阳能逆变器、工业电源和家电。该器件的工作温度(–40°C至+150°C)较高,因此能够用于传统光电耦合器不支持的应用。UCC23313-Q1器件符合AEC-Q100标准,适用于汽车应用。

特性

  • 具有光兼容输入的3.75kVRMS单通道隔离式栅极驱动器
  • 引脚对引脚,可直接升级至光隔离式栅极驱动器
  • 峰值输出电流:4.5A拉电流/5.3A灌电流
  • 输出驱动器电源电压:14V至33V
  • 轨到轨输出
  • 传播延迟:105ns(最大值)
  • 部件间延迟匹配:25ns(最大值)
  • 脉宽失真:35ns(最大值)
  • 共模瞬态抑制 (CMTI):150kV/μs(最小值)
  • 隔离栅寿命:>50年
  • 输入级具有13V反向极性电压处理能力
  • 加长SO-6封装,爬电距离和电气间隙>8.5mm
  • 工作结温范围 (TJ):–40°C至+150°C
  • 安全相关认证(计划中):
    • 6000VPK基本隔离(DIN V VDE V0884-11:2017-01标准)
    • 1分钟3.75kVRMS隔离(UL 1577标准)
    • CQC认证(GB4943.1-2011标准)

应用

  • 工业电机控制驱动
  • 工业电源、UPS
  • 太阳能逆变器
  • 感应加热

功能框图

框图 - Texas Instruments UCC23313/UCC23313-Q1隔离式栅极驱动器
发布日期: 2019-10-18 | 更新日期: 2024-01-08