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Toshiba DF2BxM4ASL ESD保护二极管

Toshiba DF2BxM4ASL ESD保护二极管可保护半导体设备（如移动设备接口和其他应用）免受 静电和噪声的影响。这些ESD保护二极管利用了 快速恢复特性，具有低动态电阻和出色的保护性能。DF2BxM4ASL二极管可优化高速信号应用，实现低电容性能。这些ESD保护二极管的储存温度范围为-55°C至150°C。DF2BxM4ASL二极管的工作结温为150°C，峰值脉冲功率为30W， 峰值脉冲电流为2A。典型应用包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑和台式电脑。

特性

  • 紧凑型封装适合用于高密度电路板布局，如用于移动设备中
  • 低动态电阻可保护半导体器件免受静电和噪声的影响
  • 实现低钳位电压的快速恢复特性可以保护半导体器件
  • 具有高ESD性能，可保护器件

规范

  • DF2B5M4ASL:
    • 峰值反向电压：3.6V
    • 保持电压范围：4V至6V
  • DF2B6M4ASL:
    • 峰值反向工作电压：5.5V
    • 保持电压范围：5.6V至8V
  • 储存温度范围：-55°C至150°C
  • 结温：150°C
  • 峰值脉冲功率：30W
  • 峰值脉冲电流：2A

应用

  • 移动设备：
    • 智能手机
    • 平板电脑
    • 笔记本电脑
  • 台式电脑

电路图

位置电路 - Toshiba DF2BxM4ASL ESD保护二极管

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物料编号 数据表 描述 工作电压 击穿电压 Vesd - 静电放电电压触点 Vesd - 静电放电电压气隙
DF2B5M4ASL,L3F DF2B5M4ASL,L3F 数据表 ESD保护二极管/TVS二极管 Bi-Dir ESD 2A; 3.6V SOD-962 (SL2) 3.6 V 5 V 16 kV 16 kV
DF2B6M4ASL,L3F DF2B6M4ASL,L3F 数据表 ESD保护二极管/TVS二极管 Bi-Dir ESD 2A; 5.5V SOD-962 (SL2) 5.5 V 6.2 V 15 kV 15 kV
发布日期: 2020-04-14 | 更新日期: 2024-11-11