Toshiba HN1x双极晶体管
Toshiba HN1x双极晶体管符合AEC-Q101标准,优化用于低频放大器应用。HN1x双极晶体管具有高电压、大集电极电流和出色的hFE线性度。该器件采用小型SOT-363 (US6) 封装。
特性
- 符合AEC-Q101标准
- 小型封装(双类型)
- 高电压
- 大集电极电流:150mA(最大值)
- 高hFE范围:120至400
- 出色的hFE线性度,hFE (IC=0.1mA)/hFE (IC=2mA)=0.95(典型值)
相关产品
Pre-biased transistors designed for low noise and low saturation voltage applications.
发布日期: 2021-12-01
| 更新日期: 2022-03-11