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Kioxia THGBM e-MMC™托管型NAND闪存

KIOXIA THGBM e-MMC™托管型NAND闪存是先进、高效的器件，具有集成控制器、增强型存储管理和4GB至128GB密度。集成的存储管理功能包括纠错、损耗均衡和坏块管理。这些THGBM产品是2D NAND，而THGAM产品是3D NAND。

THGBM e-MMC闪存器件符合JEDEC 5.0 (4GB) 和5.1版标准，为具有更高数据速度和容量要求的应用提供了理想的解决方案。THGBM的高读写性能是通过应用HS400高速接口标准实现的。THGBM e-MMC器件还完全符合多媒体卡协会 (MMCA) 高速存储接口标准。

THGBM e-MMC闪存器件提供标准（-25°C至+85°C）和扩展（-40°C至+105°C）温度版本，并采用紧凑的FBGA封装。THGBM e-MMC NAND闪存器件基于15nm技术，尺寸仅为11.5mm x 13.0mm x 1.0mm，非常适合用于工业、消费类电子产品、多媒体、智能计量和智能照明应用。

特性

  • KIOXIA控制器
  • 并行接口
  • 易于SoC采用
  • 4GB至128GB存储
  • BiCS FLASH™ 3D闪存（16GB及以上）
  • 符合JEDEC 5.0和5.1版标准
  • 可靠的存储解决方案，基于高品质NAND存储和优化的控制器
  • 11.5mm x 13mm、153焊球BGA封装（4GB还提供11mm x 10mm尺寸）
  • 15nm，MLC技术
  • 最大数据速率：400MB/s
  • 集成的存储管理
    • 纠错码
    • 坏块管理
    • 损耗均衡
    • 垃圾收集
  • 温度版本
    • 标准：-25°C至+85°C（4GB至128GB）
    • 扩展：-40°C至+105°C（8GB至64GB）

应用

  • 智能手机
  • AR/VR
  • 平板电脑、二合一设备
  • 汽车
  • 流媒体
  • 智能音箱

其他资源

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物料编号 存储容量 最小工作温度 最大工作温度
THGBMJG6C1LBAU7 8 GB - 40 C + 105 C
THGBMJG8C4LBAU8 32 GB - 40 C + 105 C
发布日期: 2016-08-12 | 更新日期: 2024-04-22