Vishay Semiconductors VSMG10850 & VSMB10940 红外发射器 & VEMD10940F硅PIN光电二极管
Vishay Semiconductors VSMG10850 & VSMB10940红外发射器 & VEMD10940F硅PIN光电二极管是高速850nm、940nm红外发射器和封装匹配高速硅PIN光电二极管，具有从780nm到1050nm的辐射灵敏度。VSMG10850、VSMB10940、和VEMD10940F都具有超宽的± 75°的半强度角，都采用3 x 2 x 1mm的紧凑、侧发光、表面贴装封装。
特性
- Photodiode
- High radiant sensitivity from 1mW/sr to 1800mW/sr
- Daylight blocking filter matched with 830nm to 950nm IR Emitters
- Reverse light current of 3μA
- 1nA low dark current
- 920nm wavelength of peak sensitivity
- Low 0.1%/K temperature coefficient of light current
- Compact package measures 3mm x 2mm with a height of only 1mm
- Ultra-wide ±75º angle of half-intensity
- Floor life of 168 hours and moisture sensitivity level (MSL) of 3 following J-STD-020
- Support lead (Pb)-free reflow soldering
- Conform to Vishay's "green" standards
- IR Emitters
- Peak wavelengths of 830nm and 950nm
- Clear, untinted plastic packages
- High radiant sensitivity from 1mW/sr to 1800mW/sr
- Fast switching times of 15ns
- GaAIAs multi-quantum well (MQW) and double hetero (DH) technology
- Low forward voltage down to 1.3V typical
应用
- IR touch panels for devices
- Printer displays
- eBook readers
- Smartphones
- Tablets
- Ultrabooks
- GPS units
- High power emitters for limited spaces
- High performance transmissive or reflective sensors
Infographic - PhotodIodes
Infographic - Optical Sensors
视频
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