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Vishay Siliconix EF Series High Performance MOSFETs

Vishay Siliconix EF 系列高性能 MOSFET

Vishay Siliconix 的 EF 系列高性能 MOSFET 是 600V 超级结 N 沟道功率 MOSFET，与 S 系列 MOSFET 相比，比导通电阻（specific On-Resistance）降低了 30%。它们带有快速体二极管 MOSFET，采用 E 系列技术、减少了 Trr / Qrr / Irrm、低 FOM、低输入电容、低开关损耗（得益于低 Qrr的降低），超低栅极电荷并通过 Avalanche Energy Rated (UIS)。典型应用包括服务器和电信用电源、照明、工业、电池充电器、新能源和开关电源等。
特点
  • 快速体二极管 MOSFET，采用 E 系列技术
  • 降低了 Trr / Qrr / Irrm
  • 低 FOM
  • 低输入电容、低开关损耗（得益于低 Qrr
  • 超低栅极电荷
  • 通过 Avalanche Energy Rated (UIS)
应用
  • 电信（服务器和电信用电源）
  • 照明 （高密度放电、荧光镇流器照明）
  • 消费电子和计算机（ATX 电源）
  • 工业（焊接、电池充电器）
  • 可再生能源（太阳能 PV 逆变器）
  • 开关电源（SMPS）
零件编号封装/外壳Vds——漏极-源极击穿电压Id——连续漏极电流Rds On——漏极-源极电阻Qg——栅极电荷Pd——功耗数据表








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发布日期: 0001-01-01 | 更新日期: 0001-01-01