Vishay N沟道和P沟道对散热增强型MOSFET
Vishay N通道和P通道对散热增强型MOSFET将N通道和P通道MOSFET对集成到单一封装中。这些N通道和P通道MOSFET设计用于最大限度地降低导通电阻 (RDS(on))，同时保持出色的开关性能。另外，通过将N沟道和P沟道MOSFET集成到单一IC中，还可以节省PCB空间并简化应用设计。
特性
- 集成到单一封装中的N沟道MOSFET和P沟道MOSFET
- N通道和P通道对之间的热跟踪
- RDS(on) 非常低，提供了灵活高效的解决方案，适用于同步降压或升压直流-直流
- 导通电阻范围（4.5V时）：
- 0.02Ω至10Ω（取决于器件）
- 栅极电荷范围（4.5V时）：
- 0.55nC至21.7nC（取决于器件）
- 出色的RDS - Qg FOM（品质因数）提高了开关模式电源的效率
- 部分器件具有ESD保护特性
- 紧凑的散热增强型封装
- 封装选项：
- 1206-8 ChipFET
- PowerPAK ChipFET
- PowerPAK SC-70
- SC70-6
- SC89-6
- SO-8
- TSOP-6
- TSSOP-8
应用
- 服务器
- 电信设备
- 无人机
- 电源管理
- 便携式设备，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和移动计算
- 负载开关
- 直流-直流转换器
SC-70和1206-8 ChipFET封装
低压TrenchFET®
相关产品
Vishay 集成MOSFET解决方案
单芯片和多芯片MOSFET，集成了肖特基二极管和ESD保护等特性。
Vishay PowerPAIR®双MOSFET
若干采用单一封装的MOSFET，设计用于减少所占空间，并提供比单独的分立式器件更卓越的性能。
发布日期: 2019-04-23
| 更新日期: 2024-01-09