Vishay Semiconductors transzorb®瞬态电压抑制器
Vishay Semiconductors TransZorb® 瞬态电压抑制器采用玻璃钝化芯片结，耗散功率为6.5W。这些电压抑制器具有出色的钳位能力、非常快的响应时间和低增量浪涌。TransZorb瞬态电压抑制器有单向和双向极性可供选择。这些电压抑制器已通过AEC-Q101认证。TransZorb®瞬态电压抑制器用于消费电子、计算机、电信和汽车应用的IC、MOSFET、传感器单元信号线。
特性
- 玻璃钝化贴片结
- 单向和双向极性
- 功率耗散：6.5W
- 6.8V至540VVBR 单向
- 6.8V至220VVBR 双向
- 5.8V至459VVWM单向
- 5.8V至185VVWM双向
- 优秀的钳位能力
- 非常快的响应时间
- 低增量浪涌电阻
- 符合 AEC-Q101 标准
- 浸焊275°C（最大值），10秒，符合JESD 22-B106标准
- 工作结温范围：-55 °C至175 °C
应用
- IC
- MOSFET
- 满足消费类要求的传感器单元的信号线路
- 工业要求
- 汽车
- 电信
外壳类型：1.5KE
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发布日期: 2025-05-14
| 更新日期: 2025-06-02