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威世硅尼克斯 SiA936EDJ 双组件 N 沟道 MOSFET

威世硅尼克斯 SiA936EDJ 双组件 N 沟道 MOSFET 设计用于在便携式电子设备中节约空间、提高功率效率，这得益于在 4.5V 和 2.5V 栅极驱动下，它有业界 20V (12V V_GS 以及 8V V_GS）器件中最低的导通电阻，而仅采用了 2mm x 2mm 的占位面积。SiA936EDJ 适用于负载和充电器开关，直流-直流转换器、H 桥和电池保护，实现智能手机、平板电脑、移动计算设备、 非植入式便携医疗产品、及带有小型无刷直流电机的手持式消费电子设备中的功率管理。SiA936EDJ 为这些应用提供了 34mΩ(4.5V)、37mΩ(3.7V)和 45mΩ(2.5V)的极低导通电阻，并内建 ESD 保护功能。器件在 2.5V 下的导通电阻比最接近的 8V V_GS 器件 — 仍低 11.7%，同时具有更高的(G-S)防护频带 — ，比使用 12V V _GS的最接近器件的导通电阻还低 15.1%。器件的低工业导通电阻使设计人员能在其电路中达到较低电压降，并促进功率的更有效使用，实现更长的电池运行时间。双组件的 SiA936EDJ 在一个紧凑封装内集成两个 MOSFET，减少了总元件数量，节约了宝贵的 PCB 空间。威世硅尼克斯 SiA936EDJ 双片 N 沟道 MOSFET 按照 JEDEC JS709A 规定 100% 经过 Rg 测试并且不含卤素，并且符合 RoHS Directive 2011/65/EU。