Vishay / Siliconix DrMOS SiC8x集成功率级
Vishay Siliconix DrMOS SiC8x集成功率级优化用于同步降压应用，具有更高的电流、效率和功率密度性能。碳化硅 (SiC) 功率级使稳压器能够提供连续的每相电流。SiC8x可实现高达80A的每相电流。内部功率MOSFET采用第四代TrenchFET®技术，实现了堪称行业标杆的性能，从而降低了开关和传导损耗。Siliconix驱动器和MOSFET模块 (DrMOS) SiC8x集成具有大电流驱动能力的高级MOSFET栅极驱动器IC、自适应死区时间控制、集成式自举二极管、提醒系统结温过高的热监控器。
特性
- 散热增强型PowerPAK® MLP56-39L封装
- 利用LS MOSFET中的集成肖特基二极管优化MOSFET开关性能
- 连续电流高达80A
- 高频工作，频率最高达2MHz
- 3.3V/5V PWM逻辑，具有三态和接触保持特性
- PWM最短可控导通时间：30ns
- 轻负载时的二极管仿真模式，用于通过GLCTRL引脚在整个负载范围内实现高效率
- 低PWM传播延迟：< 20ns
- 电流检测监控器 (IMON)
- 温度监控器 (TMON)
- 过热警报
- HS MOSFET过流和短路警报
- 针对VDRV和BOOT的欠压闭锁
应用
- 同步降压转换器
- 用于CPU、GPU和内存的多相VRD
- 直流/直流VR模块
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发布日期: 2019-06-19
| 更新日期: 2023-12-31