Vishay / Siliconix SiSS52DN和SiSS54DN N沟道TrenchFET® Gen V功率MOSFET
Vishay / Siliconix SiSS52DN和SiSS54DN N沟道TrenchFET Gen V功率MOSFET具有非常低的RDS(on)，可实现更高功率密度。这款功率MOSFET具有30V VDS 和非常低的RDS x Qg 品质因数 (FOM)。SiSS52DN N沟道MOSFET通常具有162A ID 和19.9nC Qg。而SiSS54DN N 沟道MOSFET通常具有185.6A ID 和21nC Qg 。这款经过100% Rg 和无钳位电感开关 (UIS) 测试的MOSFET采用具有一个配置的紧凑型热增强PowerPAK® 1212-8S封装。典型应用包括直流/直流转换器、负载点 (POL)、同步整流、电源和负载开关以及电池管理。
特性
- TrenchFET® Gen V功率MOSFET
- 极低RDS x Qg 品质因数 (FOM)
- 具有极低的RDS(on)，可实现更高功率密度
- 具有单个配置的紧凑型热增强PowerPAK® 1212-8S封装
- 100%经过Rg 和UIS测试
应用
- 直流/直流转换器
- 负载点 (POL)
- 同步整流
- 电池管理
- 电源和负载开关
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具有非常低的RDS x Qg 品质因数（FOM），可提高功率转换效率。
封装样式
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| 物料编号 | 数据表 | 描述 |
|---|---|---|
| SIJH5100E-T1-GE3 |  |
MOSFET PWRPK 100V N-CH MOSFET |
| SIR5607DP-T1-RE3 | |
MOSFET P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET |
| SISS54DN-T1-GE3 | |
MOSFET PPAK1212 N-CH 30V 51.1A |
| SISS52DN-T1-GE3 | |
MOSFET PPAK1212 N-CH 30V 47.1A |
发布日期: 2020-10-06
| 更新日期: 2024-12-12