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Vishay General Semiconductor V40PW22C大电流密度TMBS整流器

Vishay V40PW22C大电流密度沟槽式MOS势垒肖特基 (TMBS) 整流器具有200V最大反向重复峰值电压 (VRRM) 和40A最大平均正向整流电流额定值 (IF(AV))。这些器件使用Vishay的沟槽式MOS肖特基技术，具有低正向电压降、低功耗和高效率等特性。这些Vishay V40PW22C器件均符合AEC-Q101标准。这些特性使得该器件非常适合用于高频直流/直流转换器、续流二极管和极性保护应用。

特性

  • 外形极其纤薄：典型高度为1.3mm
  • 沟槽式MOS肖特基技术
  • 非常适合自动贴装
  • 低正向电压降、低功率损耗
  • 工作效率高
  • 达到MSL 1级要求，符合J-STD-020标准，LF最大峰值为260°C
  • 可提供符合AEC-Q101标准的版本
  • 汽车订购编号：base P/NHM3

应用

  • 低压高频直流/直流转换器
  • 续流二极管
  • 极性保护

规范

  • SlimDPAK (TO-252AE) 外壳
  • 模压化合物符合UL 94 V-0阻燃等级
  • Base P/N-M3 - 无卤素、符合RoHS指令
  • Base P/NHM3 - 无卤素、符合RoHS指令和AEC-Q101标准
  • 亚光镀锡引线，可按照J-STD-002和JESD 22-B102端子标准焊接
  • M3和HM3后缀通过JESD 201 2类晶须测试

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发布日期: 2020-06-11 | 更新日期: 2025-01-08