VOW 系列矩阵
零件编号
| 封装/类型 | 数据速率
| 正向电压 VG（典型值）
| 爬电距离 (mm)
| 隔离电压 VIORM
| CMR | 机构认证
| VOW135-X001
| DIP-8, 400 mil, 宽体
| 1MBd
| 1.38V
| ≥10
| 1414 V峰值
| 1kV/µs
| VDE 0884-5, UL1577, cUL, CQC
| VOW135-X017T
| SMD-8, 400 mil, option 7, 宽体
| 1MBd
| 1.38V | ≥10 | 1414 V峰值 | 1kV/µs | VDE 0884-5, UL1577, cUL, CQC
| VOW136-X001
| DIP-8, 400 mil, 宽体
| 1MBd
| 1.38V | ≥10 | 1414 V峰值 | 1kV/µs | VDE 0884-5, UL1577, cUL, CQC
| VOW136-X017T
| SMD-8, 400 mil, option 7 宽体
| 1MBd
| 1.38V | ≥10 | 1414 V峰值 | 1kV/µs | VDE 0884-5, UL1577, cUL, CQC | VOW137-X001
| DIP-8, 400 mil, 宽体
| 10MBd
| 1.4V | ≥10 | 1414 V峰值 | 10kV/µs | VDE 0884, UL1577, cUL, CQC
| VOW137-X017T
| DIP-8, 400 mil, 宽体
| 10MBd
| 1.4V | ≥10 | 1414 V峰值 | 10kV/µs | VDE 0884, UL1577, cUL, CQC | VOW2611-X001
| SMD-8, 400 mil, option 7, 宽体
| 10MBd
| 1.4V | ≥10 | 1414 V峰值 | 25kV/µs | VDE 0884, UL1577, cUL, CQC | VOW2611-X017T
| SMD-8, 400 mil, option 7, 宽体
| 10MBd
| 1.4V | ≥10 | 1414 V峰值 | 25kV/µs | VDE 0884, UL1577, cUL, CQC | | VOW3120-X017T | SMD-8, 400 mil, option 7, 宽体驱动器
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| 1.36V | ≥10 | 1414 V峰值 | 25kV/µs | VDE 0884-5, UL1577, cUL, CQC
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Vishay VOW135 和 VOW136Vishay Semiconductors VOW135 和 VOW136 光耦合器是 1MBd 宽体光耦合器，由通过光耦合到集成光检测器上的 GaIAIs 红外发光二极管组成。一体式 Faraday 屏蔽可提供大功率开关应用所需要的高等级噪声隔离。Vishay 1MBd 宽体耦合器具有高等级的绝缘间距。VOW135 和 VOW136 的外部爬电距离均 >10mm。VOW135 和 VOW136 非常适合工作电压超过 1000V 的应用。
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特性 - 外部爬电 > 10mm
- 加强型隔离
- 用于非常高的输入到输出噪音隔离的内部屏蔽
- 高共模干扰抑制
| 应用 - 太阳能逆变器
- 工业电机驱动器
- 焊接设备
- 隔离工业通信
- 敏感电路的噪声隔离
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Vishay VOW137 和 VOW2611Vishay VOW137 和 VOW2611 高速光耦合器是 10MBd 宽体光耦合器，由通过光耦合到集成光检测器上的 GaIAIs 红外发光二极管组成。检测器含有一体式 Faraday 屏蔽，以提供大功率开关应用所需要的高等级噪声隔离。VOW137 和 VOW2611 具有大绝缘间距，其外部爬电距离均 >10mm。光耦合器非常适合工作电压超过 1000V 的应用。
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特性 - 外部爬电 > 10mm
- 加强型隔离
- 用于非常高的输入到输出噪音隔离的内部屏蔽
安全批准 | 应用 - 太阳能逆变器
- 工业电机驱动器
- 焊接设备
- 隔离工业通信
- 消除接地环路
- 敏感电路的噪声隔离
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Vishay VOW3120 宽体 2.5A
IGBT 和 MOSFET 驱动器Vishay VOW3120 宽体 2.5 A IGBT 和 MOSFET 驱动器由通过光耦合到集成电路的红外发光二极管组成，带有功率输出级。这些光电耦合器非常适合用于驱动电机控制和变流器应用中的 功率 IGBT 和 MOSFET。输出级的大工作电压范围提供了栅极控制器件所需的驱动电压。该光电耦合器提供的电压和电流使 VOW3120 尤其适合直接驱动 IGBT，其额定值可达 1200V/100A。对于额定值更高的 IGBT，VOW3120 可用来驱动一个驱动 IGBT 栅极的离散功率级。对于需要在高工作电压或高污染环境中工作的应用，VOW3120 可提供更高的隔离电压。较高的 VIORM、VIOTM、爬电距离及电气间隙，使Vishay VOW3120 宽体 2.5A IGBT 和 MOSFET 驱动器成为众多工业控制和功率转换应用的理想选择。
特性
- 符合高工业绝缘间距和工作电压
- 2.5A 最小峰值输出电流
- 10mm 最小外爬电距离
- 25kV/µs 最低共模抑制
- ICC = 2.5mA 最大电源电流
- 有磁滞的欠压锁定
- 宽工作 VCC 范围：15V-32V
- 0.2µs 最大脉宽失真
- 工业温度范围：−40°C 至 +85°C
- 0.5V 最大低电平输出电压 (VOL)
应用 - 工业焊接设备
- 电机驱动器
- 工业逆变器
- 商用及住宅太阳能变流器
- 风力发电机变流器
- 电动汽车和插入式混合电动汽车充电器
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