Vishay Semiconductors VSLB4940高速红外发光二极管
Vishay Semiconductors VSLB4940高速红外发光二极管适合用于高脉冲电流操作。VSLB4940二极管具有940nm峰值波长、65mW/sr辐射强度、±22°光束角、1.42V典型正向电压以及15ns下降时间。该红外二极管采用GaAlAs、多量子阱 (MQW) 技术，以及模制透明塑料封装。VSLB4940红外二极管采用引线型T-1封装和∅3mm尺寸。该红外二极管适合用于红外遥控单元、反射式传感器和光栅等应用。
特性
- 引线型封装
- 高速
- 高辐射功率
- 低正向电压
- 适用于高脉冲电流操作
- 可与硅 (Si) 光电探测器实现良好的光谱匹配
规范
- 峰值波长 (λP)：940nm
- 辐射强度：65mW/sr
- 半强度角 (ψ)：±22°
- 尺寸：∅3mm
- 上升和下降时间：15ns
- 功率耗散：160mW
- 正向电压：1.42V
- 正向电流：100mA
- 反向电压：5V
- 结温：100°C
- 工作温度范围：-25°C至85°C
- 储存温度范围：-40°C至100°C
- 焊接温度：260°C
VSLB4940封装尺寸
发布日期: 2018-05-10
| 更新日期: 2023-03-11