Wolfspeed Cree SiC高性能半桥模块
Wolfspeed HM3高性能半桥模块是经过开关优化的全碳化硅低电感半桥模块，尺寸小巧 (110mm x 65mm x 12.2mm)。HM3元件采用经过开关优化的第三代碳化硅MOSFET技术。兼容62mm的轻质ALSiC基板支持系统改造。其他特性包括+175°C工作结温和高可靠性氮化硅绝缘体。HM3高性能半桥模块非常适合用于铁路/牵引、太阳能、电动汽车充电器以及工业自动化/测试应用。
特性
- 轻巧紧凑的外形尺寸，兼容62mm轻质AlSiC基板，支持系统改造
- 得益于SiC的低开关和导通损耗，提高了系统效率。
- 高可靠性材料选择
- 低电感与纤薄外形
- 工作结温高（+175°C）
- 采用开关经过优化的第三代碳化硅MOSFET技术
- 高可靠性氮化硅绝缘体
规范
- 漏极-源极电压：1200V或1700V
- 栅极-源极电压
- -8V至+19V最大值
- 推荐运算值：-4V至+15V
- 开关条件下的最大虚拟结温：-40°C至+175°C
- MOSFET
- 漏极-源极击穿电压：1200V或1700V
- 0.47Ω或0.8Ω内部栅极电阻
- 电容
- 43.1nF或79.4nF输入
- 输出：2.76nF或2.9nF
- 反向传输电容：70.7pF至90pF
- 电荷
- 448nC或79.4nC栅极-源极
- 栅极-漏极：539nC或924nC
- 总栅极：1590nC或2724nC
- 二极管
- 反向恢复时间：28ns或49ns
- 反向恢复电荷：4.5µC或17.0µC
- 峰值反向恢复电流：270A或540A
- 模块
- 封装电阻
- 106.5µΩ M1
- 126.3µΩ M2
- 杂散电感：4.8nH 至4.9nH
- 外壳温度：+125°C
- 重量：179g至180g
- 4kV外壳隔离电压
- 封装电阻
应用
- 铁路和牵引
- 太阳能
- EV充电器
- 工业自动化与检测
相关栅极驱动器
Wolfspeed HM3双通道差分隔离式栅极驱动器
优化用于HM3 1200V高性能半桥模块。
发布日期: 2020-07-28
| 更新日期: 2025-06-20