Wolfspeed 碳化硅1200V MOSFET和二极管
Wolfspeed碳化硅 (SiC) 1200V MOSFET与二极管可在要求苛刻的应用中实现了更高效率的强大组合。这些MOSFET和肖特基二极管设计用于大功率应用。1200V SiC MOSFET具有稳定的Rds(on) 过热和雪崩耐受性。这些MOSFET配备坚固耐用的体二极管，无需外部二极管，由于支持15V栅极驱动，因此易于驱动。1200 V SiC MOSFET提高了系统级效率，降低了开关和传导损耗，提高了系统级功率密度。
1200V碳化硅肖特基二极管采用MPS（合并PiN肖特基）设计技术，比典型肖特基势垒二极管更加坚固可靠。这些二极管具有高浪涌电流能力、高频工作、易于并联工作以及较低的散热片要求。SiC 1200V MOSFET和二极管非常适用于不间断电源（UPS）、电机控制和驱动器、开关模式电源（SMPS）、电动汽车充电和高压直流/直流转换器。
结合Wolfspeed的碳化硅MOSFET和二极管，可为要求苛刻的应用提供更高效率，同时降低元件价格。
特性
- 1200V碳化硅MOSFET
- 易于驱动（15V栅极驱动）
- 稳定的Rds(on) 过热
- 高雪崩耐受性
- 坚固的体二极管（无需外部二极管）
- 有各种封装和导通电阻选项可供选择，包括单独的开尔文源极引脚
- 提高系统级效率，降低开关和导通损耗
- 系统级功率密度提高
- 凭借低Rds(on) 和更高的CGS/CGD 比值，实现更好的硬开关性能
- 1200V碳化硅肖特基二极管
- 低VF = 1.27V（25°C时）
- 正温度系数
- 零反向恢复
- 强大的MPS技术
- 低品质因数（QC x VF）
- 宽Tj 值范围（-55°C至175°C）
- 标准TO-220封装
- 较高的浪涌电流承受能力
- 高频工作
- 直接替代C3D
- 轻松实现并联操作
- 降低散热需求
应用
- 不间断电源 (UPS)
- 电机控制和驱动器
- 开关模式电源 (SMPS)
- 电动汽车车载充电
- 辅助电源
- 工业电源
- 太阳能和储能系统
- 电动汽车充电
- 高压直流/直流转换器
Additional Resource
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与标准肖特基二极管相比，具有更高的稳健性和可靠性。
发布日期: 2020-06-09
| 更新日期: 2025-03-12