IXFT20N80P

Name: IXYS IXFT20N80P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFT20N80P
Price: 74.52 RMB
Availability: OutOfStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

747-IXFT20N80P

制造商编号：

IXFT20N80P

制造商：

IXYS

说明：

MOSFET 20 Amps 800V 0.52 Rds

数据表:

IXFT20N80P 数据表

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解IXYS IXFT20N80P详情

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	IXYS
产品种类:	MOSFET
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TO-268-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	800 V
Id-连续漏极电流:	20 A
Rds On-漏源导通电阻:	520 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 30 V, 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	5 V
Qg-栅极电荷:	86 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	500 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	HiPerFET
封装:	Tube
商标:	IXYS
配置:	Single
下降时间:	24 ns
正向跨导 - 最小值:	14 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	24 ns
系列:	IXFT20N80
工厂包装数量:	30
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	85 ns
典型接通延迟时间:	30 ns
单位重量:	4.500 g

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

IXFT20N80P 数据表

此功能要求启用JavaScript。

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541500000
MXHTS:: 85415001
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 菲律宾
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

Polar HiPerFET功率MOSFET

IXYS Polar™ HiPerFET功率MOSFET将Polar标准产品系列的优势与更快的体二极管结合在一起。体二极管拥有更短的反向恢复时间 (t_rr)，使其可用于移相桥电机控制和不间断电源应用 (UPS)。该系列MOSFET拥有极低的R_DS(on)、低R_thJC、低Q_g和增强的dv/dt能力。

电动汽车直流快速充电器

Littelfuse电动汽车 (EV) 充电解决方案包括非车载直流快速充电器。Littelfuse电动汽车充电解决方案支持设计人员选择理想的解决方案，以确保其电动汽车充电装置功能齐全、安全可靠。

HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.