BSP170IATMA1

Infineon Technologies
726-BSP170IATMA1
BSP170IATMA1

制造商：

说明：
MOSFET Small Signal MOSFET, -60 V

寿命周期:
新产品:
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数据表:
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产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
P-Channel
1 Channel
60 V
3.2 A
260 mOhms
20 V
4 V
10.8 nC
- 55 C
+ 150 C
5 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 11 ns
正向跨导 - 最小值: 3.1 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 2.4 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 15.1 ns
典型接通延迟时间: 5.4 ns
零件号别名: BSP170I SP006013461
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已选择的属性: 0

数据表

合规代码
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
中国
扩散国家:
马来西亚
发货时，国家/地区可能会发生变化。

小信号功率MOSFET

英飞凌 小信号功率MOSFET是具有出色稳定性和性价比的N沟道和P沟道设备。这些MOSFET简化了消费电子行业市场中各种应用的设计复杂性。该小信号功率MOSFET提供有逻辑电平和正常电平栅极驱动器能力，并具有宽范围的导通电阻 (RDS(on)) 选项。这些MOSFET经测试符合JEDEC工业标准，并评定了雪崩能力。小信号功率MOSFET具有60V至600V击穿电压、设计灵活性和栅极驱动器灵活性。这些MOSFET符合RoHS标准，不含卤素。典型应用包括洗衣机、风扇、吸尘器、SMPS、自动化和医疗。

12V-250V P沟道功率MOSFET

Infineon 12V-250V P沟道功率MOSFET为设计人员提供一个新选项，以便在优化性能的同时简化电路。P沟道器件的主要优点是降低了中低功耗应用中的设计复杂性。P沟道功率MOSFET非常适合用于电池保护、反极性保护、线性电池充电器、负载开关、直流-直流转换器和低压驱动应用。

库存量: 4,530

库存：
4,530 可立即发货
生产周期：
15 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥6.5314 ¥6.53
¥4.0567 ¥40.57
¥2.6103 ¥261.03
¥1.9888 ¥994.40
¥1.7854 ¥1,785.40
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥1.7289 ¥5,186.70
¥1.4012 ¥8,407.20
¥1.2543 ¥11,288.70

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