IPDD60R180CM8XTMA1

Name: Infineon IPDD60R180CM8XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPDD60R180CM8XTM
Price: 24.16 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

726-IPDD60R180CM8XTM

制造商编号：

IPDD60R180CM8XTMA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

MOSFET HIGH POWER_NEW

数据表:

IPDD60R180CM8XTMA1 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	HDSOP-10
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	600 V
Id-连续漏极电流:	21 A
Rds On-漏源导通电阻:	180 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.7 V
Qg-栅极电荷:	17 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	169 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	CoolMOS
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
下降时间:	12.8 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	6 ns
系列:	600V CM8
工厂包装数量:	1700
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	88.4 ns
典型接通延迟时间:	17.2 ns
零件号别名:	IPDD60R180CM8 SP005578049

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数据表

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合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 德国
组装原产国/地区:: 马来西亚
扩散国家:: 德国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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¥-.--

总价:

¥-.--

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数量	单价	总价
	¥27.3008	¥27.30
	¥17.6958	¥176.96
	¥12.2379	¥1,223.79
	¥9.9214	¥4,960.70
	¥9.0174	¥9,017.40
整卷卷轴（请按1700的倍数订购）
	¥8.8479	¥15,041.43

IPDD60R180CM8XTMA1

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