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GTRA362002FC-V1-R0

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Mouser编号：

941-GTRA362002FCV1R0

制造商编号：

GTRA362002FC-V1-R0

制造商：

MACOM

说明：

GaN 场效应晶体管 200W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz

数据表:

GTRA362002FC-V1-R0 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	MACOM
产品种类:	GaN 场效应晶体管
发货限制：	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:
安装风格:	Screw Mount
封装 / 箱体:	H-37248C-4
晶体管极性:	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:	150 V
Id-连续漏极电流:	4.1 A
最大工作温度:	+ 225 C
商标:	MACOM
增益:	13.5 dB
最大工作频率:	3.6 GHz
最小工作频率:	3.4 GHz
输出功率:	200 W
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
产品类型:	GaN FETs
工厂包装数量:	50
子类别:	Transistors
技术:	GaN
晶体管类型:	GaN HEMT
Vgs-栅源极击穿电压 :	- 10 V to 2 V

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数据表

GTRA362002FC-V1-R0 数据表 (PDF)

PCN

Product Change Notification 2024-04-25 (PDF)

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合规代码

USHTS:: 8541290055
ECCN:: 3A001.b.3.a

原产地分类

原产国:: 美国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

5G射频JFET和LDMOS FET

MACOM 5G射频结型场效应晶体管(JFET)和横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS) FET是散热增强型大功率晶体管，用于下一代无线传输。这些器件采用碳化硅基氮化镓高电子迁移率晶体管 (HEMT) 技术、输入匹配、高效率以及带无耳法兰的散热增强型表面贴装封装。MACOM 5G射频JFET和LDMOS FET非常适合用于多标准蜂窝功率放大器应用。