GTVA262701FA-V2-R0

Name: MACOM GTVA262701FA-V2-R0
Brand: MACOM
SKU: 941-GTVA262701FAV2R0
Price: 1578.85 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

941-GTVA262701FAV2R0

制造商编号：

GTVA262701FA-V2-R0

制造商：

MACOM

说明：

GaN 场效应晶体管 270W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	MACOM
产品种类:	GaN 场效应晶体管
RoHS:
安装风格:	Screw Mount
封装 / 箱体:	H-87265J-2
晶体管极性:	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:	125 V
Id-连续漏极电流:	12 A
最大工作温度:	+ 225 C
最大工作频率:	2.69 GHz
最小工作频率:	2.496 GHz
技术:	GaN
商标:	MACOM
增益:	17 dB
输出功率:	270 W
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
产品类型:	GaN FETs
工厂包装数量:	50
子类别:	Transistors
晶体管类型:	GaN HEMT
Vgs-栅源极击穿电压 :	- 10 V to 2 V

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合规代码

USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 美国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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