M1F80M12W2-1LA

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Mouser编号：

511-M1F80M12W2-1LA

制造商编号：

M1F80M12W2-1LA

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET模块 Automotive ACEPACK DMT-32 fourpack topology 1200V 78 mOhm SiC Power MOSFET, NTC

完成您的设计

寿命周期:

停产

数据表:

M1F80M12W2-1LA 数据表 (PDF)

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发货提醒：

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET模块
发货限制：	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:
技术:	SiC
安装风格:	Press Fit
封装 / 箱体:	DMT-32
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Id-连续漏极电流:	30 A
Rds On-漏源导通电阻:	108 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.2 V
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 175 C
封装:	Tube
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
高度:	5.7 mm
长度:	44 mm
产品:	Power Modules
产品类型:	MOSFET Modules
资格:	AEC-Q100
工厂包装数量:	11
子类别:	Discrete and Power Modules
宽度:	27.4 mm
单位重量:	13 g

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已选择的属性: 0

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合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

M1F80M12W2-1LA ACEPACK DMT-32碳化硅电源模块

STMicroelectronics M1F80M12W2-1LA ACEPACK DMT-32碳化硅电源模块具有四组拓扑结构、1200V阻断电压，以及78mΩ R_DS(on) 低静态漏源导通电阻。ACEPACK DMT-32设计提供了具有更高功率密度和效率的一体化解决方案。模块上的特殊凹槽有助于改善爬电距离，而氮化铝 (AIN) 绝缘基板则可提供增强的散热性能。其他特性包括集成NTC传感器、SiC Gen2电源开关、175°C最高结温，以及汽车级AQG-324认证。M1F80M12W2-1LA电源模块非常适合用于电动汽车 (EV) 和混合动力电动汽车 (HEV) 中的车载充电器 (OBC) 和辅助DC-DC转换器。