MASTERGAN4

STMicroelectronics
511-MASTERGAN4
MASTERGAN4

制造商：

说明：
栅极驱动器 High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs
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最少： 1   倍数： 1
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¥-.--
总价:
¥-.--
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数量 单价
总价
¥54.7598 ¥54.76
¥41.9343 ¥419.34
¥38.7929 ¥969.82
¥35.2334 ¥3,523.34
¥33.5836 ¥8,395.90
¥32.5892 ¥16,294.60
¥32.1711 ¥32,171.10
¥31.7643 ¥79,410.75

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 栅极驱动器
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-31
2 Driver
3 Output
6.5 A
3.3 V
15 V
- 40 C
+ 125 C
MASTERGAN
Tray
Brand: STMicroelectronics
Features: 600 V System-in-Package Integrating Half-Bridge Gate Driver
Input Voltage - Max: 15 V
Input Voltage - Min: 3.3 V
Moisture Sensitive: Yes
Product Type: Gate Drivers
Rds On - Drain-Source Resistance: 225 mOhms
工厂包装数量: 1560
Subcategory: PMIC - Power Management ICs
单位重量: 150 mg
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

合规代码
CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国台湾
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

MASTERGAN GaN半桥高压驱动器

STMicroelectronics MASTERGAN GaN半桥高压驱动器采用高功率密度电源，在半桥配置中集成了栅极驱动器和两个增强模式GaN晶体管。集成式电源氮化镓具有150mΩ RDS(ON) 和650V漏源击穿电压。集成式自举二极管可以快速为嵌入式栅极驱动器的高侧供电。

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