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STF12N50M2

Name: STMicroelectronics STF12N50M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STF12N50M2
Price: 17.49 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

511-STF12N50M2

制造商编号：

STF12N50M2

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET N-channel 500 V, 325 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag

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数据表:

STF12N50M2 数据表 (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	500 V
Id-连续漏极电流:	10 A
Rds On-漏源导通电阻:	325 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	25 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2 V
Qg-栅极电荷:	15 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	85 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	MDmesh
封装:	Tube
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
下降时间:	34.5 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	10.5 ns
系列:	STF12N50M2
工厂包装数量:	1000
子类别:	Transistors
典型关闭延迟时间:	8 ns
典型接通延迟时间:	13.5 ns
单位重量:	2 g

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已选择的属性: 0

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数据表

STF12N50M2 数据表 (PDF)

PCN

Product Change Notification 2024-04-02 (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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