STF31N65M5

Name: STMicroelectronics STF31N65M5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STF31N65M5
Price: 41.8 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

511-STF31N65M5

制造商编号：

STF31N65M5

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh

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STF31N65M5 数据表 (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	13.9 A
Rds On-漏源导通电阻:	148 mOhms
Pd-功率耗散:	30 W
商标名:	MDmesh
封装:	Tube
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
产品类型:	MOSFETs
系列:	Mdmesh M5
工厂包装数量:	1000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
单位重量:	2 g

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PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 意大利
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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