STFW24N60M2

Name: STMicroelectronics STFW24N60M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STFW24N60M2
Price: 33.09 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

511-STFW24N60M2

制造商编号：

STFW24N60M2

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET PTD HIGH VOLTAGE

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寿命周期:

寿命结束:

将过时且制造商将停产。

数据表:

STFW24N60M2 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-3PF-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	600 V
Id-连续漏极电流:	18 A
Rds On-漏源导通电阻:	190 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 25 V, 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3 V
Qg-栅极电荷:	29 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	48 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	MDmesh
封装:	Tube
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
下降时间:	15 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	9 ns
系列:	STFW24N60M2
工厂包装数量:	300
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	60 ns
典型接通延迟时间:	14 ns
单位重量:	7 g

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已选择的属性: 0

                        
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