STGW10M65DF2

STMicroelectronics
511-STGW10M65DF2
STGW10M65DF2

制造商:

说明:
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss

寿命周期:
寿命结束:
将过时且制造商将停产。
ECAD模型:
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产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
650 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
20 A
115 W
- 55 C
+ 175 C
STGW10M65DF2
Tube
商标: STMicroelectronics
集电极最大连续电流 Ic: 20 A
栅极—射极漏泄电流: 250 uA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 600
子类别: IGBTs
单位重量: 6 g
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时,国家/地区可能会发生变化。

库存量: 979

库存:
979 可立即发货
数量大于979的订购须受最低订购要求的限制。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥23.9899 ¥23.99
¥15.3906 ¥153.91
¥10.509 ¥1,050.90
¥8.9383 ¥5,362.98
¥7.5936 ¥9,112.32
¥7.2772 ¥21,831.60
¥7.1529 ¥38,625.66