STGWT80H65FB

STMicroelectronics
511-STGWT80H65FB
STGWT80H65FB

制造商：

说明：
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed
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寿命周期:
寿命结束:
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数据表:
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产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
Si
TO-3P
Through Hole
Single
650 V
1.6 V
- 20 V, 20 V
120 A
469 W
- 55 C
+ 175 C
STGWT80H65FB
Tube
商标: STMicroelectronics
集电极最大连续电流 Ic: 80 A
栅极—射极漏泄电流: 250 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 300
子类别: IGBTs
单位重量: 6.756 g
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
韩国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

库存量: 252

库存：
252 可立即发货
数量大于252的订购须受最低订购要求的限制。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥48.5561 ¥48.56
¥27.8771 ¥278.77
¥27.798 ¥16,678.80
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