STGWT80V60F

STMicroelectronics
511-STGWT80V60F
STGWT80V60F

制造商：

说明：
绝缘栅双极晶体管(IGBT) PTD IGBT & IPM
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寿命周期:
寿命结束:
将过时且制造商将停产。
数据表:
ECAD模型:
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产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
Si
TO-3P
Through Hole
Single
600 V
1.85 V
- 20 V, 20 V
120 A
469 W
- 55 C
+ 175 C
STGWT80V60F
Tube
商标: STMicroelectronics
集电极最大连续电流 Ic: 80 A
栅极—射极漏泄电流: 250 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 300
子类别: IGBTs
单位重量: 6.756 g
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
韩国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

库存量: 213

库存：
213 可立即发货
数量大于213的订购须受最低订购要求的限制。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥57.3249 ¥57.32
¥38.3748 ¥383.75
¥30.849 ¥3,084.90
¥27.3799 ¥16,427.94
¥24.2385 ¥29,086.20

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