STL059N4S8AG

STMicroelectronics
511-STL059N4S8AG
STL059N4S8AG

制造商:

说明:
MOSFET Automotive N-channel logic level 40 V, 0.59 mOhm max., 420 A Smart STripFET F8 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package

寿命周期:
新产品:
此制造商的新产品。
ECAD模型:
下载免费库加载程序,将此文件转换,以供您的ECAD工具使用。了解详情。

库存量: 85

库存:
85
可立即发货
在途量:
3,000
预期 2026/10/2
生产周期:
24
大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴(请按3000的倍数订购)

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™
¥30.849 ¥30.85
¥20.1027 ¥201.03
¥14.1476 ¥1,414.76
¥11.8311 ¥5,915.55
¥11.413 ¥11,413.00
整卷卷轴(请按3000的倍数订购)
¥9.6728 ¥29,018.40
¥9.266 ¥55,596.00
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
AEC-Q100
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: STMicroelectronics
产品类型: MOSFETs
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
单位重量: 87 mg
找到的产品:
要显示类似产品,至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品,请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

此功能要求启用JavaScript。

合规代码
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时,国家/地区可能会发生变化。

STripFET F8N通道功率MOSFET

STMicroelectronics的 STripFET F8 N沟道功率MOSFET符合AEC-Q101标准,并提供30V至150V的全面封装解决方案,以满足超高功率密度解决方案的所有要求。这些低压MOSFET采用STPOWER STripFET F8技术。条形场效应晶体管F8技术通过降低导通电阻和开关损耗,同时优化体二极管特性,来节省能量并确保电源转换、电机控制和配电电路的低噪声。STMicroelectronics的 F8 N沟道功率MOSFET可简化系统设计,提高汽车、计算机/外设、数据中心、电信、太阳能、电源/转换器、电池充电器、家用/专业电器、游戏、无人机等应用的效率。

STL059N4S8AG功率MOSFET

STMicroelectronics STL059N4S8AG功率MOSFET是一款采用Smart STripFET F8技术设计的40V N沟道增强模式功率MOSFET。Smart STripFET F8技术在搭配STi²Fuse栅极驱动器使用时能让大电流功率分配具有低导通电阻。该功率MOSFET通过了AEC-Q101认证,并100%进行了雪崩测试。STL059N4S8AG功率MOSFET采用带可润湿侧翼的PowerFLAT 5x6封装。该功率MOSFET1达到潮湿敏感度等级 (MSL1) 级,并工作在-55°C至+175°C的温度范围内。STL059N4S8AG功率MOSFET非常适合用于功率分配应用。