跳到主内容

TTI Family of Specialists旗下成员联系贸泽（上海）免费电话: 400-821-6111反馈

更改位置中文¥ RMB

免费电话: 400-821-6111 更改位置

现货

RoHS

您似乎禁用了您浏览器中的JavaScript功能。本网页上的某些功能需要登录后才能使用。

看到错误？

STP17NF25

STMicroelectronics

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

511-STP17NF25

制造商编号：

STP17NF25

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET N-channel 250V STripFET II Mosfet

完成您的设计

数据表:

STP17NF25 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	250 V
Id-连续漏极电流:	17 A
Rds On-漏源导通电阻:	165 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2 V
Qg-栅极电荷:	29.5 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	90 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	STripFET
封装:	Tube
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
下降时间:	8.8 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	17.2 ns
系列:	STP17NF25
工厂包装数量:	2000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	21 ns
典型接通延迟时间:	8.8 ns
单位重量:	2 g

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

STP17NF25 数据表 (PDF)

PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 新加坡
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

特色产品

STMICROELECTRONICS

STH4N150-2AG N沟道功率MOSFET

专为确保汽车应用的高电压和可靠性而设计。

了解更多的信息

STL059N4S8AG功率MOSFET

一款采用Smart STripFET F8技术设计的40V N沟道增强模式功率MOSFET。

了解更多的信息

N沟道MDmesh K6功率MOSFET

该模块的击穿电压为800V，齐纳保护，100%雪崩测试，非常适用于反激式转换器和LED灯。

了解更多的信息

STripFET F8N通道功率MOSFET

符合AEC-Q101标准，提供30V至150V的全面封装解决方案

了解更多的信息

STP80N1K1K6 N沟道功率MOSFET

采用MDmesh K6技术，利用了20年的超级结技术经验。

了解更多的信息

库存量: 564

库存：: 564

可立即发货

出现意外错误。请稍候重试。
在途量:: 2,000

预期 2026/12/18
生产周期：: 26

周大于所示数量的预计工厂生产时间。

本产品所报告的交付时间长。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥18.1139	¥18.11
	¥10.2604	¥102.60
	¥7.6388	¥763.88
	¥6.0681	¥3,034.05
	¥6.0003	¥6,000.30
	¥5.989	¥11,978.00