STQ1NK60ZR-AP

Name: STMicroelectronics STQ1NK60ZR-AP
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STQ1NK60ZR-AP
Price: 7.54 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

511-STQ1NK60ZR-AP

制造商编号：

STQ1NK60ZR-AP

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET N-channel 600 V, 13 Ohm typ., 0.3 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET i

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-92-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	600 V
Id-连续漏极电流:	300 mA
Rds On-漏源导通电阻:	15 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 30 V, 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3 V
Qg-栅极电荷:	4.9 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	3 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	SuperMESH
封装:	Ammo Pack
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
下降时间:	28 ns
正向跨导 - 最小值:	0.5 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	5 ns
系列:	STQ1NK60ZR
工厂包装数量:	2000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间:	13 ns
典型接通延迟时间:	5.5 ns
单位重量:	453.600 mg

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PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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¥-.--

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¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥8.5202	¥8.52
	¥5.3223	¥53.22
	¥3.4691	¥346.91
	¥2.6668	¥1,333.40
	¥2.4182	¥2,418.20
整卷弹药盒（请按2000的倍数订购）
	¥2.1696	¥4,339.20
	¥1.9097	¥7,638.80
	¥1.808	¥18,080.00

STQ1NK60ZR-AP

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