STU9N65M2

Name: STMicroelectronics STU9N65M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STU9N65M2
Price: 16.18 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

511-STU9N65M2

制造商编号：

STU9N65M2

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET PTD HIGH VOLTAGE

完成您的设计

寿命周期:

寿命结束:

将过时且制造商将停产。

数据表:

STU9N65M2 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-251-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	5 A
Rds On-漏源导通电阻:	900 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 25 V, 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3 V
Qg-栅极电荷:	10 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	60 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	MDmesh
封装:	Tube
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
下降时间:	18 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	6.6 ns
系列:	STU9N65M2
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	22.5 ns
典型接通延迟时间:	7.5 ns
单位重量:	340 mg

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

                        
ST NCNR & NON Warrantied

Stock on hand has no manufacture warranty.

If the end customer requires additional support please
process the request through your local Mouser
sales representative.

5-1013-36