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现货

RoHS

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STW11NM80

STMicroelectronics

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

511-STW11NM80

制造商编号：

STW11NM80

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh

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数据表:

STW11NM80 数据表 (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	800 V
Id-连续漏极电流:	11 A
Rds On-漏源导通电阻:	400 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 30 V, 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3 V
Qg-栅极电荷:	43.6 nC
最小工作温度:	- 65 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	150 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	MDmesh
封装:	Tube
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
下降时间:	15 ns
正向跨导 - 最小值:	8 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	17 ns
系列:	STW11NM80
工厂包装数量:	600
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	46 ns
典型接通延迟时间:	22 ns
单位重量:	6 g

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已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

STW11NM80 数据表 (PDF)

PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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库存量: 1,153

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生产周期：: 26 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥56.0028	¥56.00
	¥29.0297	¥290.30
	¥26.6341	¥2,663.41
	¥22.7469	¥13,648.14
	¥22.0802	¥26,496.24
	¥21.5943	¥64,782.90