STW8N120K5

STMicroelectronics
511-STW8N120K5
STW8N120K5

制造商：

说明：
MOSFET N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
完成您的设计

数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解STMicroelectronics STW8N120K5详情

库存量: 706

库存：
706 可立即发货
生产周期：
26 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥76.9304 ¥76.93
¥52.5224 ¥525.22
¥43.3468 ¥4,334.68
¥38.6234 ¥23,174.04
¥36.1487 ¥43,378.44
10,200 报价

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
6 A
2 Ohms
- 30 V, 30 V
3 V
13.7 nC
- 55 C
+ 150 C
130 W
Enhancement
MDmesh
Tube
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 27 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 11 ns
系列: STW8N120K5
工厂包装数量: 600
子类别: Transistors
典型关闭延迟时间: 40 ns
典型接通延迟时间: 15.5 ns
单位重量: 6 g
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
意大利
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

Zener-Protected SuperMESH3 Power MOSFETs

STMicroelectronics Zener-Protected SuperMESH3™ Power MOSFETs are created through increased fine-tuning of STMicroelectronic's strip-based PowerMESH™ layout, combined with optimization of the vertical structure. In addition to significantly reducing ON-resistance, special attention has been taken to ensure these MOSFETs offer dynamic performance with a large avalanche capability. STMicroelectronics Zener-Protected SuperMESH3 Power MOSFETs are offered in voltages up to 1200V. Applications include switch-mode low-power supplies (SMPS), DC-DC converters, switching, and offline power supplies.

SuperMESH™ 高压 MOSFET

意法半导体 齐纳保护 SuperMESH™ 功率 MOSFETs 是对标准带式 PowerMESH™ 布线的终极优化。 意法半导体 SuperMESH MOSFET 大幅压低了导通电阻，同时为要求最高的应用确保了非常好的 dv/dt 性能。SuperMESH 器件有最低限度的栅极电荷，并100% 通过雪崩测试，同时还改进了 ESD 功能，并具有新的高压基准。这些意法半导体 MOSFET 可用于开关应用。
了解更多

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。