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现货

RoHS

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STWA48N60DM2

STMicroelectronics

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

511-STWA48N60DM2

制造商编号：

STWA48N60DM2

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET N-channel 600 V, 0.065 Ohm typ., 40 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 long l

完成您的设计

数据表:

STWA48N60DM2 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	600 V
Id-连续漏极电流:	40 A
Rds On-漏源导通电阻:	65 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	25 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3 V
Qg-栅极电荷:	70 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	300 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	MDmesh
封装:	Tube
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
下降时间:	9.8 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	27 ns
系列:	STWA48N60DM2
工厂包装数量:	600
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	131 ns
典型接通延迟时间:	27 ns
单位重量:	6 g

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已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

STWA48N60DM2 数据表 (PDF)

PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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库存量: 381

库存：: 381 可立即发货

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 26 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

数量大于381的订购须受最低订购要求的限制。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥86.0269	¥86.03
	¥53.2682	¥532.68
	¥46.2396	¥4,623.96
	¥41.5275	¥24,916.50