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CSD17484F4

Name: Texas Instruments CSD17484F4
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD17484F4
Price: 3.95 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

595-CSD17484F4

制造商编号：

CSD17484F4

制造商：

Texas Instruments

说明：

MOSFET 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17484F4T

数据表:

CSD17484F4 数据表

ECAD模型:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Texas Instruments
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PICOSTAR-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	30 V
Id-连续漏极电流:	3 A
Rds On-漏源导通电阻:	128 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	12 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	650 mV
Qg-栅极电荷:	920 pC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	500 mW
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Texas Instruments
配置:	Single
下降时间:	4 ns
正向跨导 - 最小值:	4 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	1 ns
系列:	CSD17484F4
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	11 ns
典型接通延迟时间:	3 ns
单位重量:	0.400 mg

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CSD17484F4 TINA-TI Reference Design

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合规代码

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854239099
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 菲律宾
组装原产国/地区:: 菲律宾
扩散国家:: 中国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

FemtoFET 功率 MOSFET

德州仪器 FemtoFET 功率 MOSFET 具有超小占位面积（0402 外壳尺寸），并有超低电阻（与竞争产品相比低 70%）。这些 MOSFET 具有超低的 Qg, Qgd 规格，并有最优的 ESD 额定值。它们采用基板栅格阵列(LGA)封装。这种封装提高了硅含量，使其特别适合空间受限的应用。这些功率 MOSFET 具有低功耗和低开关损耗，提高了轻负载下的性能。这些器件的典型应用有手持设备、移动设备、负载开关、通用开关、电池应用等。
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库存量: 2,084

库存：: 2,084

可立即发货

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在途量:: 162,000

预期 2026/12/10
生产周期：: 20

周大于所示数量的预计工厂生产时间。

本产品所报告的交付时间长。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥4.4635	¥4.46
	¥1.9888	¥19.89
	¥1.7402	¥174.02
	¥1.2995	¥649.75
	¥1.2543	¥1,254.30
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥0.81021	¥2,430.63
	¥0.69495	¥6,254.55
	¥0.62037	¥14,888.88

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

备用包装

制造商零件编号:

CSD17484F4T

包装:

Reel, Cut Tape, MouseReel

供货情况:

库存量

单价:

¥12.4074

最小:

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制造商：

Texas Instruments

制造商编号：

CSD17484F4T

说明：

MOSFET 30V N-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD17484 A 595-CSD17484F4

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CSD17484F4

制造商： Texas Instruments

说明： MOSFET 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17484F4T

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