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CSD19536KCS

Name: Texas Instruments CSD19536KCS
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD19536KCS
Price: 44.51 RMB
Availability: InStock

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请参阅产品规格

Mouser编号：

595-CSD19536KCS

制造商编号：

CSD19536KCS

制造商：

Texas Instruments

说明：

MOSFET 100V N-CH NexFET Pwr MOSFET

数据表:

CSD19536KCS 数据表

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Texas Instruments
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	259 A
Rds On-漏源导通电阻:	2.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.1 V
Qg-栅极电荷:	118 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	375 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	NexFET
封装:	Tube
商标:	Texas Instruments
配置:	Single
下降时间:	5 ns
正向跨导 - 最小值:	307 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	8 ns
系列:	CSD19536KCS
工厂包装数量:	50
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	38 ns
典型接通延迟时间:	14 ns
单位重量:	2 g

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 中国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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