LM5109BMA

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Mouser编号：

926-LM5109BMA

制造商编号：

LM5109BMA

制造商：

Texas Instruments

说明：

栅极驱动器 1-A, 100-V half bridge gate driver with 8-V UVLO and high noise immunity 8-SOIC -40 to 125

寿命周期:

停产

数据表:

LM5109BMA 数据表

ECAD模型:

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发货提醒：

Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Texas Instruments
产品种类:	栅极驱动器
发货限制：	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:	N
类型:	High-Side, Low-Side
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SOIC-8
激励器数量:	2 Driver
输出端数量:	2 Output
输出电流:	1 A
电源电压-最小:	8 V
电源电压-最大:	14 V
上升时间:	15 ns
下降时间:	15 ns
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 125 C
系列:	LM5109B
封装:	Tube
商标:	Texas Instruments
特点:	Independent
逻辑类型:	TTL
最大关闭延迟时间:	2 ns
最大开启延迟时间:	2 ns
工作电源电流:	1.8 mA
产品类型:	Gate Drivers
传播延迟—最大值:	32 ns
工厂包装数量:	95
子类别:	PMIC - Power Management ICs
技术:	Si
单位重量:	143 mg

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合规代码

CNHTS:: 8542319000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
JPHTS:: 8542390990
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 85423999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 不可用
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

LM5109B-Q1半桥栅极驱动器

Texas Instruments LM5109B-Q1半桥栅极驱动器是一款性价比高的高电压栅极驱动器，设计用于驱动高侧和低侧N沟道MOSFET。这可以在同步降压或半桥配置中完成。浮动高侧驱动器的工作轨电压高达90V，输出由TTL/CMOS兼容的逻辑输入阈值独立控制。稳定的电平移位技术，可高速工作，仅消耗很低功耗，同时进行从控制逻辑到高侧栅极驱动器的彻底的电平转换。该器件在低侧和高侧电源轨上提供了欠压锁定功能。