LMG1025QDRVRQ1

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Mouser编号：

595-LMG1025QDRVRQ1

制造商编号：

LMG1025QDRVRQ1

制造商：

Texas Instruments

说明：

栅极驱动器 Automotive 7-A/5-A s ingle-channel low-s

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

LMG1025QDRVRQ1 数据表

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发货提醒：

Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Texas Instruments
产品种类:	栅极驱动器
发货限制：	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:
类型:	Low-Side
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	WSON-6
激励器数量:	1 Driver
输出端数量:	1 Output
输出电流:	7 A
电源电压-最小:	4.75 V
电源电压-最大:	5.25 V
配置:	Inverting, Non-Inverting
上升时间:	650 ps
下降时间:	850 ps
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 125 C
系列:	LMG1025-Q1
封装:	Reel
商标:	Texas Instruments
特点:	Automotive
输入电压 - 最大值:	5.25 V
输入电压 - 最小值:	4.75 V
工作电源电流:	51 mA
产品类型:	Gate Drivers
传播延迟—最大值:	4.4 ns
关闭:	Shutdown
工厂包装数量:	3000
子类别:	PMIC - Power Management ICs
技术:	Si

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数据表

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合规代码

USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

LMG1025/LMG1025-Q1半桥GaN驱动器

Texas Instruments LMG1025/LMG1025-Q1半桥GaN驱动器旨在驱动同步降压、升压或半桥配置中的高侧和低侧增强型氮化镓 (GaN) FET。该器件具有集成的100V自举二极管和独立输入，用于高侧和低侧输出，以实现最大的控制灵活性。通过自举技术生成高侧偏置电压。在5V进行内部钳位，从而防止栅极电压超过增强型GaN FET的最大栅极-源极额定电压。LMG1205/LMG1025-Q1的输入兼容TTL逻辑，无论VDD电压如何，都可以耐受高达14V的输入电压。 LMG1205/LMG1205-Q1具有分离栅极输出，允许单独而灵活地调节导通和关断强度。