NTBGS6D5N15MC

Name: onsemi NTBGS6D5N15MC
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBGS6D5N15MC
Price: 57.75 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-NTBGS6D5N15MC

制造商编号：

NTBGS6D5N15MC

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET PTNG 150V IN SUZHOU D2PAK7L FOR INDUSTRIAL

数据表:

NTBGS6D5N15MC 数据表

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	D2PAK-7
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	150 V
Id-连续漏极电流:	121 A
Rds On-漏源导通电阻:	7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.5 V
Qg-栅极电荷:	57 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	238 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
产品类型:	MOSFETs
系列:	NTBGS6D5N15MC
工厂包装数量:	800
子类别:	Transistors
单位重量:	4.675 g

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数据表

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PCN

Material Composition Disclosure

合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

NTBGSxDxN15MC和NVBGSxDxN15MC N沟道MOSFET

安森美 (onsemi) NTBGSxDxN15MC和NVBGSxDxN15MC N沟道MOSFET具有150V漏极-源极电压 (V_(BR)DSS) 和低开关噪声/EMI。这些器件具有低Q_G 和电容值，可最大限度地降低驱动器损耗，还具有低R_DS(on)，可最大限度地降低导通损耗。NTBGSxDxN15MC和NVBGSxDxN15MC MOSFET采用无铅、无卤/无BFR、符合RoHS指令的D²PAK7封装。典型应用包括电动工具、电池供电吸尘器、无人航空载具 (UAV)/无人机、材料处理、电池管理系统 (BMS)/存储、家居自动化、工业叉车和牵引控制系统。