NVMFWS004N10MCT1G

onsemi
863-VMFWS004N10MCT1G
NVMFWS004N10MCT1G

制造商：

说明：
MOSFET PTNG 100V STD SO8FL

数据表:
ECAD模型:
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生产周期：
52
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥33.4141 ¥33.41
¥21.8316 ¥218.32
¥15.8765 ¥1,587.65
¥13.3227 ¥6,661.35
¥12.3283 ¥12,328.30
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）
¥12.3283 ¥18,492.45

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
DFN-5
N-Channel
1 Channel
100 V
138 A
3.9 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
48 nC
- 55 C
+ 175 C
164 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 13 ns
正向跨导 - 最小值: 120 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 18 ns
系列: NVMFWS004N10MC
工厂包装数量: 1500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 39 ns
典型接通延迟时间: 25 ns
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

合规代码
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
韩国
组装原产国/地区:
马来西亚
扩散国家:
韩国
发货时，国家/地区可能会发生变化。

NVMFWS004N10MC单N沟道功率MOSFET

安森美半导体NVMFWS004N10MC单N沟道功率MOSFET具有138A连续漏极电流、3.9mΩ RDS (ON)（10V时）以及100V漏极-源极电压。NVMFWS004N10MC采用5mm x 6mm扁平引线封装，开发用于紧凑高效的设计。安森美半导体符合AEC-Q101标准的MOSFET具有PPAP功能，非常适合用于汽车应用。

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