NTMFS0D5N04XLT1G

Name: onsemi NTMFS0D5N04XLT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS0D5N04XLT1G
Price: 37.33 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-NTMFS0D5N04XLT1G

制造商编号：

NTMFS0D5N04XLT1G

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET 40V T10S IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

数据表:

NTMFS0D5N04XLT1G 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DFNW-5
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	40 V
Id-连续漏极电流:	455 A
Rds On-漏源导通电阻:	490 uOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.2 V
Qg-栅极电荷:	127 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	194 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	24 ns
正向跨导 - 最小值:	277 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	10 ns
系列:	NTMFS0D5N04XL
工厂包装数量:	1500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	55 ns
典型接通延迟时间:	11 ns

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数据表

NTMFS0D5N04XLT1G 数据表 (PDF)

Material Composition Disclosure

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 马来西亚
组装原产国/地区:: 马来西亚
扩散国家:: 日本

发货时，国家/地区可能会发生变化。

40V功率MOSFET

安森美（onsemi）40V功率MOSFET采用标准栅极电平技术，具有同类最佳的导通电阻。安森美（onsemi）MOSFET设计用于电机驱动器应用。该器件具有更低导通电阻和更低栅极电荷，可有效地最大限度地降低导通和驱动损耗。此外，这些MOSFET还为体二极管反向恢复提供出色的软控制，有效降低电压尖峰压力而无需在应用中使用额外的缓冲电路。

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库存量: 60

库存：: 60

可立即发货

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在途量:: 1,500

预期 2027/9/10
生产周期：: 53

周大于所示数量的预计工厂生产时间。

本产品所报告的交付时间长。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥42.1829	¥42.18
	¥24.4871	¥244.87
	¥22.0011	¥2,200.11
	¥16.7127	¥8,356.35
	¥15.142	¥15,142.00
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）
	¥15.142	¥22,713.00

NTMFS0D5N04XLT1G

制造商： onsemi

说明： MOSFET 40V T10S IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

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