NexFET功率级IC

Texas Instruments NexFET功率级IC是经过优化的驱动器IC，采用了双NexFET MOSFET。这样即可在典型的大电流POL设计中实现更高效率。这些器件具有超低Qg和Qgd，与同类产品相比，可实现更高的开关频率，虽然频率高达两倍，但功率损耗却相同。这样可以改善瞬态响应，减少所需的输出电容器数量。输出滤波器（电容器和电感器）的尺寸最多可减小1/2。这些器件配有独特的接地焊盘引线框架和引脚分配，便于客户布局，并提高了运行和散热性能。与典型的分立式解决方案相比，这些器件采用更小的封装，从而节省了电路板空间。