GAN041-650WSBQ

Name: Nexperia GAN041-650WSBQ
Brand: Nexperia
SKU: 771-GAN041-650WSBQ
Price: 87.62 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

771-GAN041-650WSBQ

制造商编号：

GAN041-650WSBQ

制造商：

Nexperia

说明：

GaN 场效应晶体管 GAN041-650WSB/SOT429/TO-247

数据表:

GAN041-650WSBQ 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Nexperia
产品种类:	GaN 场效应晶体管
RoHS:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	SOT-429-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	47.2 A
Rds On-漏源导通电阻:	41 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.5 V
Qg-栅极电荷:	22 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	187 W
通道模式:	Enhancement
商标:	Nexperia
配置:	Single
下降时间:	10 ns
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
产品类型:	GaN FETs
上升时间:	10 ns
工厂包装数量:	30
子类别:	Transistors
技术:	GaN
零件号别名:	934661752127
单位重量:	123 mg

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 菲律宾
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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