TRENCHSTOP™ 5 IGBT

英飞凌TRENCHSTOP™5 IGBT是下一代薄晶圆IGBT（绝缘栅双极型晶体管），与目前其他领先的IGBT相比，传导和开关损耗大幅降低。TRENCHSTOP 5是针对开关频率高于10kHz的应用而设计。晶圆厚度减少25%以上，大幅改善了开关及传导耗损，更将击穿电压提高到了650V。性能提升幅度惊人，为设计人员开启了新的探索机会。

结果: 37
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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) INDUSTRY
数据表
7库存量
720预期 2026/10/15
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 80 A 148 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube

Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PRODUCTS
数据表
741库存量
8,640在途量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 74 A 250 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube

Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) INDUSTRY
数据表
283库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 80 A 275 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube

Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) INDUSTRY
数据表
2,168在途量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 55 A 188 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube

Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PRODUCTS
数据表
1,200在途量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 74 A 255 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube

Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
数据表
475预期 2026/7/29
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 395 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 S5 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) INDUSTRY
数据表
180预期 2026/7/29
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole Single 650 V 1.42 V - 20 V, 20 V 80 A 395 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) INDUSTRY
数据表
无库存交货期 30 周
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 38 A 125 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) HOME APPLIANCES
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 240
倍数： 240

- 20 V, 20 V Trenchstop IGBT5 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) INDUSTRY
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 240
倍数： 240

Si Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 274 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 S5 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) INDUSTRY
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 1
倍数： 1

- 20 V, 20 V Trenchstop IGBT5 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
数据表
无库存交货期 45 周
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 80 A 395 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube