700V CoolGaN™ G5功率晶体管

Infineon Technologies 700V CoolGaN™ G5功率晶体管代表功率转换技术的重大进步。这些氮化镓 (GaN) 晶体管设计工作在高频下具有出色的效率,使超快速开关成为可能并最大限度地降低能量损耗。700V CoolGaN G5系列采用常闭的增强模式晶体管,确保安全运行和高可靠性。这些晶体管具有低栅极与输出电荷,支持高功率密度设计,并降低了系统BOM成本。

结果: 7
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 技术
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 700 V G5 2,016库存量
剪切带
¥23.7413
¥11.7407
¥10.5881
¥8.5202
¥8.1925
卷轴
¥7.5371
最低: 1
倍数: 1
: 2,500
SMD/SMT N-Channel 1 Channel 700 V - 10 V 1.6 V 1.9 nC - 40 C + 150 C 29 W Enhancement CoolGaN GaN
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 700 V G5 2,161库存量
剪切带
¥19.9332
¥9.6728
¥8.6897
¥6.9269
卷轴
¥5.7517
最低: 1
倍数: 1
: 2,500
SMD/SMT N-Channel 1 Channel 700 V 240 mOhms - 10 V 1.6 V 1.3 nC - 40 C + 150 C 21 W Enhancement CoolGaN GaN
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 700 V G5 3,243库存量
剪切带
¥15.3906
¥7.345
¥6.554
¥5.1754
卷轴
¥4.4183
最低: 1
倍数: 1
: 2,500
SMD/SMT N-Channel 1 Channel 700 V 600 mOhms - 10 V 1.6 V 0.53 nC - 40 C + 150 C 11 W Enhancement CoolGaN GaN
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 700 V G5 4,495库存量
剪切带
¥25.7301
¥12.7351
¥11.4921
¥9.3451
卷轴
¥7.3111
最低: 1
倍数: 1
: 5,000
SMD/SMT PG-TSON-8 HEMT 1 Channel 700 V 13 A 170 mOhms 1.6 V 1.8 nC - 40 C + 150 C 47 W Enhancement CoolGaN Si
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 700 V G5 4,855库存量
剪切带
¥20.9276
¥12.8255
¥9.0965
¥7.345
卷轴
¥5.7178
最低: 1
倍数: 1
: 5,000
SMD/SMT PG-TSON-8 HEMT 1 Channel 700 V 9.2 A 240 mOhms - 10 V 1.6 V 1.26 nC - 40 C + 150 C 34 W Enhancement CoolGaN Si
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 700 V G5 2,141库存量
剪切带
¥17.8653
¥8.6897
¥7.7179
¥6.1246
卷轴
¥5.0624
最低: 1
倍数: 1
: 2,500
SMD/SMT N-Channel 1 Channel 700 V 330 mOhms - 10 V 1.6 V 1 nC - 40 C + 150 C 18 W Enhancement CoolGaN GaN
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 700 V G5 57库存量
10,000在途量
剪切带
¥19.8541
¥9.6728
¥8.5202
¥6.8139
卷轴
¥5.0285
最低: 1
倍数: 1
: 5,000
SMD/SMT PG-TSON-8 HEMT 1 Channel 700 V 7.2 A 330 mOhms - 10 V 1.6 V 1.8 nC - 40 C + 150 C 28 W Enhancement CoolGaN Si