QPD2120D

Qorvo
772-QPD2120D
QPD2120D

制造商:

说明:
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 1.20mm Pwr pHEMT

ECAD模型:
下载免费库加载程序,将此文件转换,以供您的ECAD工具使用。了解详情。

产品属性 属性值 选择属性
Qorvo
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS:  
pHEMT
Tray
商标: Qorvo
产品类型: RF JFET Transistors
系列: QPD2120D
工厂包装数量: 100
子类别: Transistors
找到的产品:
要显示类似产品,至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品,请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

此功能要求启用JavaScript。

合规代码
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
美国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时,国家/地区可能会发生变化。

QPD2120D 1200µm分立式GaAs pHEMT

Qorvo QPD2120D 1200µm 分立式GaAs pHEMT(假晶高电子迁移率晶体管)的工作频率范围为直流至20GHz。通常情况下,QPD2120D的输出功率为31dBm(P1dB时),增益为11.5dB,功率附加效率为57%(1dB压缩时)。得益于该性能,QPD2120D适合用于高效率应用。

库存量: 100

库存:
100 可立即发货
生产周期:
24 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少: 100   倍数: 100
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
此产品免运费

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥211.8298 ¥21,182.98
¥199.9422 ¥59,982.66
500 报价